尖端科技&材料

【積體電路60週年】Intel三巨頭

2018 年 08 月 14 日2019 年 07 月 31 日 CASE PRESS intel, 半導體, 摩爾定律, 積體電路60週年, 電晶體

■摩爾是半導體巨擘Intel的創始者之一，Intel是當今CPU的霸主，也是半導體產業最重要的公司。Intel於1968年創立，而開啟這場偉大創業之旅的先驅有三位，分別是戈登·摩爾(Gordon Moore)、羅伯特·諾伊斯(Robert Noyce)以及安迪·葛洛夫(Andrew Grove)。本文便將簡單介紹三人的生平以及Intel的創立過程。

尖端科技&材料物理科學大人物

【積體電路60週年】發明者Jack Kilby

2018 年 08 月 09 日2018 年 08 月 02 日 CASE PRESS Jack Kilby, 矽, 積體電路, 積體電路60週年, 鍺

■在台灣，積體電路不僅是一個科技名詞，更是撐起經濟的一大支柱，以台積電為首的產業鏈，從上到下創造了無數工作機會及GDP。2018年是積體電路誕生60周年。在這段時間裡，究竟是哪些人披荊斬棘，鋪平了人類便利的生活的大道？本系列將帶各位讀者認識積體電路發展史上的幾位重要人物。

尖端科技&材料

解決鋰電池低溫無法運作的問題

2018 年 03 月 27 日2018 年 07 月 29 日 CASE PRESS 鋰電池

■中國復旦大學化學系研究團隊利用別於傳統鋰電池的材料，讓電池在-70°C也能使用。

尖端科技&材料繽紛生態

孔雀蜘蛛彩虹外表的成因

2018 年 03 月 06 日2018 年 08 月 29 日 CASE PRESS

■在孔雀蜘蛛小小的腹部卻能產生彩虹一般的色彩，這是為什麼呢？來自加州大學聖地牙哥分校及艾克朗大學的研究團隊解開了這個色彩之謎。

【2017科學史沙龍】【科學史沙龍】尖端科技&材料心理&神經科學物理生物醫學&基因

【科學史沙龍】〈神經的運作與圖譜〉＆〈用眼睛「看」的神經反應——談光學顯微技術與神經科學的發展〉

2018 年 02 月 22 日2023 年 06 月 06 日 CASE PRESS 光, 光學顯微鏡, 神經, 神經細胞, 視覺

■在所有人體方面的研究中，腦科學大概是其中最難研究、瞭解程度也相對不高的一個區塊。而由於腦是由眾多神經元（約1千億顆）所組成，科學家的首要目標便是瞭解了神經元；因此神經元是什麼？它怎麼運作？它該用什麼方式來研究呢？成了科學家們必須先回答的問題。
神經的起源相當混亂，它的發現最早可追溯至西元前500年，一位希臘的哲學家阿爾克邁翁在解剖動物時發現了視神經，而後在西元前100年時又由羅馬哲學家蓋倫提出「腦是思考的中心」，推翻了過去亞里斯多德的學說（心是思考的中心），由此奠定了神經生物學的基礎。

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不能活在沒有手機平板的世界裡嗎？電子垃圾問題多

2018 年 02 月 06 日2018 年 07 月 29 日 CASE PRESS 回收, 資源, 電子垃圾

■2016年全球產生的電子垃圾大約為4470萬公噸，相當於8個埃及古夫金字塔或4500座艾菲爾鐵塔重。換算成全球平均每人每年產出為6.1公斤(2014年為5.8公斤)。以地區來分類，最高的為紐澳，平均每人每年產出17.3公斤；歐洲國家(包括俄羅斯)為16.6公斤，但其回收率達35%；美國為11.6公斤，回收率17%；亞洲則為4.2公斤，但回收率只有15%；開發度較低的非洲國家每人每年產出只有1.9公斤。

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二維材料於密碼學的應用

2018 年 01 月 16 日2020 年 07 月 28 日 CASE PRESS 二硫化鉬, 二維材料, 密碼

美國紐約大學電機系的Davood Shahrjerdi教授的實驗室利用精準的製程控制，製作出具有2048個像素且0、1完全隨機分配的二維材料二硫化鉬陣列，研究結果發表於美國化學協會的 ACS Nano 期刊。其工作原理很簡單，在2048個像素上，每一個位置都代表0或1，也就是說有2的2048次方種組合。每一片二硫化鉬被製造出來時，每個像素到底會是0還是1都是隨機的，利用光學技術讀取就可以知道每一片上面的0 1分佈，快速且簡易。

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智慧太陽能窗戶

2018 年 01 月 02 日2018 年 08 月 29 日 CASE PRESS APX3, 太陽能, 智慧窗戶, 發電

■遇熱變色(Thermochromism)是一存在於某些材料的物理現象。材料在不同溫壓會以不同相存在，不同相的光學性質各有不同，遇熱變色的材料對光的穿透及反射率會因為溫度改變而跟著改變。美國國家再生能源實驗室利用這個現象研發出一種智慧窗戶，窗戶本身為透明無色，但當太陽光照射使溫度上升時，表面的特殊塗料會變得不透明，且可以發電，能幫助調節建築物室內溫度及節能減碳。

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能用同一種摻雜物能產生n型及p型的半導體嗎？

2017 年 12 月 05 日2018 年 07 月 29 日 CASE PRESS n型, p型, 半導體, 氮化鎵

■半導體的摻雜(doping)因材料而異，一般來說要形成 n 型或 p 型需要不同的摻雜物(dopant)，但氮化鎵(GaN)卻能用同一種摻雜物達成。

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聚焦電子束調控二硫化鉬能隙

2017 年 11 月 07 日2018 年 07 月 29 日 CASE PRESS 二硫化鉬, 二維材料, 能隙

■科學家再次突破了人類對二維材料的掌控力，做出 1.81eV 到 1.42eV 之間的二維二硫化鉬(MoS2)。他們以具半導體的 2H 結構作為基底，在 2H 結構上製作做出具有週期性的奈米 1T 結構，這些沒有能隙的 1T 結構規律的散佈在 2H 基底上就像一個個位能井(Quantum well)。藉由控制 1T 在 2H 中的分布及大小，便可以做出能隙在 1.81eV 到 1.42eV 之間的二維二硫化鉬。