新一代製程的關鍵:13.5奈米的「極端」紫外光

■從1990年代至今,半導體界持續使用波長為248奈米和193奈米的光源製造電子元件。這段期間科學家和工程師不斷挑戰物理極限,使用相同的波長製造出更精細的元件,至今已經超過二十年。然而,半導體從1997年的250奈米節點到2018年的7奈米節點,很難再繼續微縮了。為了製作更小更快的電子元件,半導體製程需要波長越短的光線。下一個世代的半導體將會使用全新的光源:波長為13.5奈米的極端紫外光。

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【積體電路60週年】施敏與浮閘記憶體

■半導體界有名的華人,大家多半想到台積電創辦人張忠謀,但半導體界具影響力的華人並不只他一人,本文將介紹另一位極具代表性的人物:施敏。
施敏於1968年研發出「浮閘記憶體效應」,並製作出第一個非揮發式記憶體(Non-volatile semiconductor memory,NVSM),影響半導體產業甚鉅。若沒有這項發明,就不會有今天的手機、平板或其他電子產品。

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【積體電路60週年】Intel三巨頭

■摩爾是半導體巨擘Intel的創始者之一,Intel是當今CPU的霸主,也是半導體產業最重要的公司。Intel於1968年創立,而開啟這場偉大創業之旅的先驅有三位,分別是戈登·摩爾(Gordon Moore)、羅伯特·諾伊斯(Robert Noyce)以及安迪·葛洛夫(Andrew Grove)。本文便將簡單介紹三人的生平以及Intel的創立過程。

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次10奈米世代的半導體怎麼做?

■在相同的區域放入越多的電子元件,代表同一支手機或電腦裝置能提供更強更快速的服務,因此縮小處理器中電子元件的尺寸是所有半導體大廠共同的目標。能依照國際半導體技術藍圖(ITRS)提升製造能力的公司將能獨佔市場,就像台積電排除三星公司,將在2017和2018年連續獨佔蘋果iPhone手機處理器。若要在未來的半導體節點持續保持領先,科技必須與時俱進。在這個10奈米節點以下的世代,各家製造商正積極尋求增加單位面積上電路效能的方法。

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矽製程相容的二維半導體

■隨著科技的進步,電子裝置日漸縮小,功能卻能增加,這全都有賴半導體產業中的摩爾定律。然而,在傳統半導體架構中,尺寸上的縮小有物理上的極限,眼看摩爾定律的末日就要到了!因應這個問題,許多半導體研究機構致力研發新的科技,搭配上二維材料,部份地解決了縮小半導體尺度時會面臨的困難。然而這些材料和長久使用的半導體科技並不相容,無法真正投入應用。近日,科學家提出一種新穎的半導體製程,能夠製造原子級厚度的二維半導體。這個技術有望併入以矽為基礎、廣為使用的製程。

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