二硫化鉬 - CASE 報科學

二維材料於密碼學的應用

2018 年 01 月 16 日2020 年 07 月 28 日 CASE PRESS 二硫化鉬, 二維材料, 密碼

美國紐約大學電機系的Davood Shahrjerdi教授的實驗室利用精準的製程控制，製作出具有2048個像素且0、1完全隨機分配的二維材料二硫化鉬陣列，研究結果發表於美國化學協會的 ACS Nano 期刊。其工作原理很簡單，在2048個像素上，每一個位置都代表0或1，也就是說有2的2048次方種組合。每一片二硫化鉬被製造出來時，每個像素到底會是0還是1都是隨機的，利用光學技術讀取就可以知道每一片上面的0 1分佈，快速且簡易。

尖端科技&材料

聚焦電子束調控二硫化鉬能隙

2017 年 11 月 07 日2018 年 07 月 29 日 CASE PRESS 二硫化鉬, 二維材料, 能隙

■科學家再次突破了人類對二維材料的掌控力，做出 1.81eV 到 1.42eV 之間的二維二硫化鉬(MoS2)。他們以具半導體的 2H 結構作為基底，在 2H 結構上製作做出具有週期性的奈米 1T 結構，這些沒有能隙的 1T 結構規律的散佈在 2H 基底上就像一個個位能井(Quantum well)。藉由控制 1T 在 2H 中的分布及大小，便可以做出能隙在 1.81eV 到 1.42eV 之間的二維二硫化鉬。