微影製程

在晶片微縮的競賽中，過去六年，EUV（極紫外光）成為突破的利器，它的波長僅13.5奈米，能刻畫出比頭髮直徑小上千倍的電路細節，然而，這項技術並非唾手可得：從動輒數億美元的設備成本，到需要真空與特殊反射鏡的嚴苛條件，再到光罩檢測的繁複手續，每一步都牽動著半導體製程的效能與良率，然而，2025年開始，台積電已經更進一步率先引進High-NA EUV，將推動製程進入2奈米以下的時代，在這場半導體的競賽中，誰有功夫能率先駕馭這道最強光束，就掌握了未來十年的半導體霸主地位。

在顯微鏡下，半導體晶片宛如一座縮微城市，每條「道路」都比頭髮的千分之一還要細微。工程師是如何在如此微小的尺度上，打造出這些精密的電路網絡呢？答案就在微影製程。這項技術就像奈米雕刻師，不斷突破物理與工程的限制，讓同樣大小的晶片能容納更多的電晶體與功能模組，進而提升運算速度與降低功耗。本文將帶領讀者走進微影製程的世界，探索它的科學原理與演進歷程，並以此視角回顧台積電如何在2004年憑藉創新的浸潤式微影技術，成功超車全球半導體業，躍升為業界的領航者。