能隙

■科學家再次突破了人類對二維材料的掌控力，做出 1.81eV 到 1.42eV 之間的二維二硫化鉬(MoS2)。他們以具半導體的 2H 結構作為基底，在 2H 結構上製作做出具有週期性的奈米 1T 結構，這些沒有能隙的 1T 結構規律的散佈在 2H 基底上就像一個個位能井(Quantum well)。藉由控制 1T 在 2H 中的分布及大小，便可以做出能隙在 1.81eV 到 1.42eV 之間的二維二硫化鉬。