夫朗和斐繞射
夫朗和斐繞射(Fraunhofer Diffraction)
國立臺灣大學物理學系 周文鴻
夫朗和斐繞射 (Fraunhofer diffraction) 與菲涅耳繞射 (Fresnel diffraction) 分別是兩種描述繞射現象的模型；夫朗和斐繞射假設造成繞射的狹縫和屏幕距離很遠，可視為無限遠的情況，而菲涅耳繞射則假設屏幕與狹縫的距離是有限的。
物理
半導體：原理與發展（二）電晶體簡介
半導體：原理與發展（二）電晶體簡介(Semiconductor: Principle and Development (II) — Introduction to transistor)
國立臺灣大學物理學系 李品儀
- 雙極性電晶體 (bipolar junction transistor, BJT)
此種電晶體為利用基極電流大小控制此電晶體是否需要導通，以及集極和射極之間的電流大小，圖一 (b) 為 npn 電晶體之簡單結構圖，藍紫色區域為 n 型半導體，白色區域為 p 型半導體。紅色方框為主要的載子運動區域。
半導體：原理與發展（一）歷史、物理原理與二極體
半導體：原理與發展（一）歷史、物理原理與二極體 (Semiconductor: Principle and Development (I) — History, physical principles and diode)
國立臺灣大學物理學系 李品儀
半導體材料是一種導電性可受到控制的材料，有別於絕緣體和導體，其電阻是可以受到施加於兩側的電壓所控制。因而使我們能夠自動控制各類電子儀器。
- 半導體發展史
半導體技術發展至今已有一百多年的歷史，於 1883 年，法拉第 (Michael Faraday, 1791-1867) 發現硫化銀的電阻與普通的金屬不同
【2016年諾貝爾物理獎特別報導】物質在平面世界裡的奇異現象
物質在平面世界裡的奇異現象 (Strange phenomena in matter’s flatlands)
高瞻計畫特約編譯 葉承効/國立臺灣大學物理學系講座教授 郭光宇責任編輯
今年獲獎的研究開啟了一扇大門，讓人看到未知世界裡物質的新奇形態。2016的諾貝爾物理獎一半由華盛頓大學的大衛・索勒斯（David J. Thouless），另一半則由普林斯頓大學的鄧肯・哈爾丹（F. Duncan M. Haldane）及布朗大學的麥克・克斯特利茲（J. Michael Kosterlitz）共享此殊榮。他們的研究為人類理解物質的奧秘帶來突破性的發展，也為新穎材料的研發開創了新的前景。
大衛・索勒斯、鄧肯・哈爾丹及麥克・克斯特利茲使用了先進的數學方法，來解釋物質在異常狀態（如超導體、超流體或磁性薄膜）下出現的奇異現象。相較於真實世界的三維空間（包括長、寬、高的空間），克斯特利茲與索勒斯研究二維平面世界里發生的現象，即在物體的表面，或是極薄的介面上所出現的現象。而哈爾丹則研究極為纖細的、甚至可以視為一維空間的線狀物質。