反轉流動、臨界電壓與反應時間

反轉流動、臨界電壓與反應時間（Backflow、Threshold Voltage and Response Time）
國立彰化師範大學光電所賴柏仲碩士生/國立彰化師範大學物理學系洪連輝教授責任編輯

反轉流動(Backflow)：

在液晶盒外加電壓或是取消電壓時，往往會造成液晶分子的形變能急遽的變化，而這些變化可能使液晶分子受到臨界液晶分子急遽轉動所造成的流動力矩的影響，導致液晶分子過度轉動而造成瞬間的反轉，而形成反轉流動的現象，由與液晶分子轉動對其雙折射性質有很大關連性的，因此便會產生所謂的光學反躍(optical bounce)現象。以圖14的TN液晶盒為例，其在當外加在液晶盒的電場迅速取消時，由於上下邊界液晶分子的形變能釋放，造成在上下邊界附近的液晶導軸快速旋轉。

而導致液晶流動的發生，這個液晶的流動提供中間層液晶分子導軸一個力矩，藉此讓液晶盒中間層分子發生反向的傾倒。


臨界電壓（Threshold voltage） ：

當外加一足夠大的微小電場於液晶分子上，會使液晶分子由靜止狀態開始轉動，並使其光學性質產生變化，要讓液晶分子開始轉動時所需外加的電場強度稱之為臨界電場，而其電壓則為臨界電壓。 反應時間（Response time）： 反應時間的多寡往往是液晶顯示器優劣的一個重要指標，反應時間通常包括有上升時間(rise time)及下降時間(fall time)兩項總和，圖15(a)表示一個由函數產生器送出的脈衝，經由偵測器接收後的結果為圖15(b)，此處定義自電壓供給到穿透率開始上升所需時間為

穿透率由10%上升至90%所需的時間為 
穿透率由90%下降至10%所需的時間為 

參考資料：

(1)松本正ㄧ、角田市良，液晶之基礎與應用，劉瑞祥譯，國立編譯館，民85年。
(2)紀國鐘、鄭晃忠，液晶顯示器技術手冊，台灣電子材料與元件協會，民93年。
(3)黃子強，液晶顯示原理，國防工業出版社，民95年。