半導體

蕭特基能障（Schottky effect）

2009/08/30
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蕭特基能障（Schottky effect）
國立彰化師範大學光電科技研究所張淑貞研究生/國立彰化師範大學洪連輝教授責任編輯

大部分p-n接面有用的特性可以簡單的經由形成一個適當的金屬半導體接點而得到，這樣的趨勢深具吸引力。而當需要高速整流時，金屬-半導體接面特別有用。另一方面，也必須能對半導體形成非整流(歐姆)接觸。

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光激發光

2009/08/30
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光激發光 (photoluminescence)
國立彰化師範大學光電科技研究所張淑貞研究生/國立彰化師範大學洪連輝教授責任編輯

半導體發射光最簡單的例子，就是電子電洞對的直接激發與復合。如果復合的電子直接由傳導帶落至共價帶，中間未經過任何缺陷能階，則發光的波長會對應至能隙寬度的能量。達到穩定狀態時，電子電洞對的激發速率等於復合速率，半導體每吸收一個光子就會放出一個光子。

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機率與測不準原理（Probability and Uncertainty Principle）

2009/08/30
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機率與測不準原理（Probability and uncertainty principle）
國立彰化師範大學光電科技研究所張淑貞研究生/國立彰化師範大學洪連輝教授責任編輯

對於原子尺度的粒子，我們無法對發生的物理事件做絕對精確的描述，只能處理這些物理量，例如動量、位置、能量等的平均值，即所謂的期望值(expectation values)。

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發光二極體（Light Emitting Diode）

2009/08/30
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發光二極體（Light Emitting Diode）
國立彰化師範大學光電科技研究所張淑貞研究生/國立彰化師範大學洪連輝教授責任編輯

發光二極體本質上是一pn接面二極體，典型上由直接能隙半導體構成，其電子電洞對(EHP)復合，並造成放射出光子，射出光子能量因此近似於能隙能量，圖顯示一個未加偏壓pn+接面元件能帶圖，其中n側相較於p側為重摻雜，能帶圖繪製時，須讓整個元件的費米能階維持一樣，這個要求是在平衡且不加外加偏壓下。pn+元件的空乏區主要延伸到p區，從n側Ec到p側Ec，有一位能障eVo，那是△Ec=eVo，其中Vo是內建電壓，在n側高濃度的導電即自由電子，使得導電電子由n側擴散到p側，然而，靜電子擴散被電子PE位障eVo阻止。

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