TMR

穿隧式磁阻（Tunneling Magnetoresistance, TMR）
國立彰化師範大學物理所研究生陳建淼/國立彰化師範大學物理學系洪連輝教授責任編輯

A. TMR簡介 目前構成MRAM的最基本單元磁性穿隧結(Magnetic tunneling junction,MTJ)，穿隧式磁阻與巨磁阻的差異是將中間的間隔層由金屬改為一絕緣層，但其產生磁阻變化的機制大不相同。穿隧式磁阻元件，顧名思義便是透過穿隧效應(tunneling effect)使其得以運作，而產生穿隧效應最基本的單元就是一般所謂的磁性穿隧結(Magnetic tunneling junction ,MTJ)。