energy gap

半導體:原理與發展(一)歷史、物理原理與二極體

半導體:原理與發展(一)歷史、物理原理與二極體 (Semiconductor: Principle and Development (I) — History, physical principles and diode)
國立臺灣大學物理學系 李品儀

半導體材料是一種導電性可受到控制的材料,有別於絕緣體和導體,其電阻是可以受到施加於兩側的電壓所控制。因而使我們能夠自動控制各類電子儀器。

  1. 半導體發展史

半導體技術發展至今已有一百多年的歷史,於 1883 年,法拉第 (Michael Faraday, 1791-1867) 發現硫化銀的電阻與普通的金屬不同

能隙

能隙 (Energy Gap)
國立臺灣大學物理學系 洪豪謙

能隙的概念是從能帶理論 (Band theory) 中發展的,這是二十世紀初量子力學確立以後,所發展的一套理論,迄今運用這個理論最廣泛的領域是半導體元件。

我們知道單電子的氫原子模型中,因為量子效應,造成電子的能階是不連續的,從一個能階跳到另外一個能階的吸收或是放出的能量必須是固定的,示意如圖一 (a)。