物理
照明光源(Light Source)
照明光源(Light Source)
國立彰化師範大學光電所賴柏仲碩士生/國立彰化師範大學物理學系洪連輝教授責任編輯
一般顯示器大多分為自體發光型或受光型兩種,電漿顯示器是屬於自體發光型顯示裝置,而液晶顯示器則是屬於受光型顯示裝置;受光型顯示裝置需要外部照明且大多在背面設有照明光源。當顯示器在顯示時通常必須選用可使顯示面亮度均一的面狀光源,而在顯示時也必須使用不會損害彩色性的白色面狀光源。
液晶的其他應用(二)(The Other Purposes of Liquid Crystal)
液晶的其他應用(二)(The Other Purposes of Liquid Crystal)
國立彰化師範大學光電所賴柏仲碩士生/國立彰化師範大學物理學系洪連輝教授責任編輯
液晶透鏡: 下圖為T. Nose、S. Masuda及S. Sato等人在1992年的Applied Physics Letters期刊上所發表的圓孔電極液晶透鏡。(a)為未外加電場之圓孔電極液晶盒,此時液晶分子水平排列,因此當線性偏振光水平入射液晶盒時所感受的折射率為一常數 ;當外加一小電場V1予液晶盒,圓孔兩側之液晶分子將受電場而成垂直排列,圓孔中心之液晶分子由於距電極較遠,受電場影響較小,因此轉動程度較小,形成一圓孔中心有效折射率大,圓孔兩側折射率小之變化,如同具有折射率梯度變化之GRIN lens,如下圖所示。
同調性(Coherence)
同調性(Coherence)
國立臺南第一高級中學物理科王俊乃老師/國立彰化師範大學物理系吳仲卿教授責任編輯
在物理領域,同調性屬於波的性質之一,它可以讓波產生不隨時間以及不隨空間改變,穩定的干涉結果(interference)。當兩波在干涉時,如果兩波疊加之後可以產生振幅更大的合成波,則稱為建設性干涉(constructive interference);反之,如果兩波疊加之後可以產生振幅更小的合成波,則稱為破壞性干涉(destructive interference)。
磁阻式隨機存取記憶體(Magnetic Random Access Memory :MRAM)
磁阻式隨機存取記憶體(Magnetic Random Access Memory :MRAM)
國立彰化師範大學物理所陳建淼研究生/國立彰化師範大學物理學系洪連輝教授責任編輯
MRAM的概念是由德國Pual Drude研究所的物理學家Andreas Neyc和他的同事們共同提出。比較於靜態隨機存取記憶體(Static Random Access Memory,SRAM)與動態隨機存取記憶體(Dynamic Random Accrss Memory,DRAM),SRAM與DRAM需要周期性的通電流,以保持記憶體內的資料,避免資料流失,用電流有或無來區別0和1的不同,而記憶的原理是以連續迴圈的方式進行,所以當電流一中斷,記錄就會消失,這種記憶體又稱為「揮發性記憶體」。
氦-氖雷射(He-Ne Laser)
氦-氖雷射(He-Ne Laser)
國立彰化師範大學光電科技研究所張淑貞研究生/國立彰化師範大學物理學系洪連輝教授責任編輯
考慮發光波長為632.8 nm紅光波段之He-Ne雷射。實際上受激發射機制主要為Ne原子,而He原子則是利用碰撞的方式來激發Ne原子。
Ne為一惰性氣體,其基態電子組態為1s22s22p6,如果忽略最接近的1s與2s副軌域,則可將Ne基態電子組態簡化成2p6。如果將2p軌域中的電子激發到5s軌域中,則激發態2p55s1的氖原子就成為具有較高的能量的原子;而氦原子也為一惰性氣體,因此同樣的,其基態的電子組態為1s2,當電子由1s軌域激發到2s軌域的時候,就形成有較高能量的1s12s1的氦原子。 氦氖雷射結構主要是將氦氖原子的混合氣體放在一個放電管中,此放電管的兩端為鏡面,作為受激發射的反射鏡以用來增強共振腔內的強度。
柯爾磁光效應
柯爾磁光效應 (Magneto-Optical Kerr Effect , MOKE)
國立彰化師範大學物理所陳建淼研究生/國立彰化師範大學物理學系洪連輝教授責任編輯
A. 柯爾磁光效應介紹
隨著磁性元件應用日漸擴展,基於磁性薄膜新穎的物理特性和高技術的應用,對磁性薄膜材料的研究有越來越多的趨勢,其中柯爾磁光效應Magnetic-Optic Kerr Effect (MOKE)也是重大的發展之一,由於柯爾磁光效應可以簡單的分析磁性薄膜材料的磁特性,因此也漸漸受到了注目。 磁光效應包括法拉第效應、柯爾效應、磁線振雙折射、磁圓振二向色性….目前研究和應用最廣泛的磁光效應為法拉第效應和柯爾效應。
