太陽能電池（Solar Cell）
太陽能電池（Solar Cell） 國立彰化師範大…
現代科技簡介 Introductory Modern Technology
臨界磁場（Critical Magnetic Field）
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臨界電流（Critical Current）
臨界電流（Critical Current） 國立…
機率與測不準原理（Probability and Uncertainty Principle）
機率與測不準原理（Probability and uncertainty principle）
國立彰化師範大學光電科技研究所張淑貞研究生/國立彰化師範大學洪連輝教授責任編輯
對於原子尺度的粒子，我們無法對發生的物理事件做絕對精確的描述，只能處理這些物理量，例如動量、位置、能量等的平均值，即所謂的期望值(expectation values)。
超導體的發展歷程（下）（History of Superconductivity）
1957年，在美國伊利諾大學的巴丁(B. D. Bardeen)、古柏 (L. N. Cooper)及施里弗(J. R. Schrieffer)發表了著名的超導微觀理論，以他們名字首字母命名的BCS理論。描述電子在晶格中移動時會改變鄰近正電荷分佈，形成一個局域的高正電荷分佈，並吸引自旋相反的電子，形成古珀對。
BCS理論成功解釋了傳統超導的特性。巴丁、古柏、施里弗因此獲得1972年的諾貝爾物理學獎。...
發光二極體（Light Emitting Diode）
發光二極體（Light Emitting Diode）
國立彰化師範大學光電科技研究所張淑貞研究生/國立彰化師範大學洪連輝教授責任編輯
發光二極體本質上是一pn接面二極體，典型上由直接能隙半導體構成，其電子電洞對(EHP)復合，並造成放射出光子，射出光子能量因此近似於能隙能量，圖顯示一個未加偏壓pn+接面元件能帶圖，其中n側相較於p側為重摻雜，能帶圖繪製時，須讓整個元件的費米能階維持一樣，這個要求是在平衡且不加外加偏壓下。pn+元件的空乏區主要延伸到p區，從n側Ec到p側Ec，有一位能障eVo，那是△Ec=eVo，其中Vo是內建電壓，在n側高濃度的導電即自由電子，使得導電電子由n側擴散到p側，然而，靜電子擴散被電子PE位障eVo阻止。
透明載子濃度（Transparency Carrier）
透明載子濃度 (Transparency carr…