寬能隙

當能源危機與氣候變遷壓力越來越大，人類迫切需要更高效率的能源科技。傳統矽晶片在高溫、高壓下效能降低，於是新一代「寬能隙半導體」登場，特別是矽碳化物 (SiC)，它能承受高電壓與高溫，成為電動車、太陽能與資料中心的核心材料。雖然製作困難、成本高，但隨著SiC晶圓量率的提升，2025年全球各大晶圓廠商正開始加速布局 SiC 產線，搶攻高效能電力元件市場。